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SI3475DV-T1-E3

hot SI3475DV-T1-E3

SI3475DV-T1-E3

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Numero di parte SI3475DV-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Scheda dati

SI3475DV-T1-E3 Scheda dati

pacchetto SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3475DV-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C950mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta), 3.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.61 Ohm @ 900mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP
Pacchetto / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3475DV-T1-E3

SI3475DV-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI3475DV-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3475DV-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI3475DV-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI3475DV-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI3475DV-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI3475DV-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI3475DV-T1-E3?
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