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| Numero di parte | SI3477DV-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| A magazzino | 713.340 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 6V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 9A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 D# 70616162 |
Vishay Siliconix |
SI3477DV-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 8 A, 12 V, 6-Pin TSOP RoHS: Not Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 D# E02:0323_03046228 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 D# SI3477DV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: SI3477DV-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 D# SI3477DV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R (Alt: SI3477DV-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 D# SI3477DV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R (Alt: SI3477DV-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Single P-Channel 12 V 0.0175 O Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
P Channel 30V 4.8A(Tc) 2V @ 250uA 55mohms @ 4.1A,10V 3W(Tc) SOT23-6 MOSFET RoHS |
6 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 D# SI3477DV-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP |
2971 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 D# 2889720 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P-CH, -12V, -8A, TSOP RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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2477 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DVT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
28560 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 D# C558263 |
VBsemi Electronics Co Ltd | 6 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 D# 781-SI3477DV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -12V Vds 10V Vgs TSOP-6 RoHS: Compliant
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3700 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 D# 61AC1932 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P-CH, -12V, -8A, TSOP, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-8A, Drain Source Voltage Vds:-12V, On Resistance Rds(on):0.014ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-1V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
2269 |
SI3477DV-T1-GE3. D# 15AC0294 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:12V, Continuous Drain Current Id:8A, On Resistance Rds(on):0.014ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:400mV RoHS Compliant: No RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
|
6000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 D# NS-SI3477DV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3069 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 D# 8123160 |
Vishay Intertechnologies |
P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin TSOP Vishay SI3477DV-T1-GE3, PK Min Qty: 20
Container: Package
|
1980 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DVT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
256 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -12V Vds 10V Vgs TSOP-6 pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
6669 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 D# 16623581 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP |
900 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3477DV-T1-GE3 D# 2889720 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P-CH, -12V, -8A, TSOP RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
|
2269 |
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