Name: SI3909DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3909DV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (152 reviews)

SI3909DV-T1-GE3

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Numero di parte	SI3909DV-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
Scheda dati	SI3909DV-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3909DV-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	500mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1.15W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP

Scheda tecnica SI3909DV-T1-GE3

SI3909DV-T1-GE3 Packaging

SI3909DV-T1-GE3 FAQ

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D# SI3909DV-T1-GE3-ND

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