Name: SI3993DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3993DV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (120 reviews)

SI3993DV-T1-GE3

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Numero di parte	SI3993DV-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
Scheda dati	SI3993DV-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Specifiche SI3993DV-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	133 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	830mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP

Scheda tecnica SI3993DV-T1-GE3

SI3993DV-T1-GE3 Packaging

SI3993DV-T1-GE3 FAQ

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DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.2A, FULL REEL, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-2.2A, Drain Source Voltage Vds:-30V, On Resistance Rds(on):133mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-3V , RoHS Compliant: Yes

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D# SI3993DV-T1-GE3-ND

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