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| Numero di parte | SI4102DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 179.544 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158 mOhm @ 2.7A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
- Tape and Reel |
2500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0027A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 D# SI4102DY-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 D# 1779249RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 100V, 3.8A, SO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
14875 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 D# 55R1915 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 3.8A, SO8, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:3.8A, On Resistance Rds(on):0.13ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 D# NS-SI4102DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
4146 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DYT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7515 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
105 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC |
15170 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 D# 1779249 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 100V, 3.8A, SO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
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