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| Numero di parte | SI4435DDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 1.602.384 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 9.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
|
AST3TQ-V-20.000MHZ-50-C-T2 | Abracon LLC, OSC VCTCXO 20.000MHZ LVCMOS SMD, 4-SMD, No Lead, TrenchFET? | Visualizza |
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SIT8209AI-GF-18E-133.333300T | SiTIME, -40 TO 85C, 2520, 10PPM, 1.8V, 1, -, TrenchFET? | Visualizza |
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SIT8208AC-33-28S-62.500000X | SiTIME, -20 TO 70C, 5032, 50PPM, 2.8V, 6, -, TrenchFET? | Visualizza |
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0805J0630472KCT | Knowles Syfer, CAP CER 4700PF 63V C0G/NP0 0805, 0805 (2012 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
 
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2SC3585-T1B-A | CEL, RF TRANSISTOR NPN SOT-23, TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, TrenchFET? | Visualizza |
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EP3C16E144C8 | Altera, IC FPGA 84 I/O 144EQFP, 144-LQFP Exposed Pad, TrenchFET? | Visualizza |
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LCMXO2-4000HC-4TG144C | Lattice Semiconductor Corporation, IC FPGA 114 I/O 144TQFP, 144-LQFP, TrenchFET? | Visualizza |
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M20-7821546 | Harwin Inc., SIL VERTICAL PC TAIL SOCKET ASSY, -, TrenchFET? | Visualizza |
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TSW-126-06-T-D | Samtec Inc., CONN HEADER 52POS .100" DL TIN, -, TrenchFET? | Visualizza |
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97-3106A36-9S-417 | Amphenol Industrial Operations, AB 31C MIXED SKT PLUG, -, TrenchFET? | Visualizza |
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VE-BTH-CW-F1 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 52V 100W, Full Brick, TrenchFET? | Visualizza |
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IS62WV2568EBLL-45TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc, IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP, 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), TrenchFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# 70026450 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, P-Ch, Vds -30V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 19.5mohm, Id -8.1A, SO-8, Pd 2.5W RoHS: Not Compliant
|
168 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# V36:1790_09216493 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4435DDY-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4435DDY-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4435DDY-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 173 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
- Tape and Reel |
5000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
P-Channel 30V 11.4A 3V @ 250uA 24mohms @ 9.1A,10V 2.5W SOIC-8_150mil MOSFET RoHS |
4498 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# SI4435DDY-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO |
5473 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
Industry Leading ISO:9001/AS9120A Stocking Distributor of Obsolete & Hard to Find IC's/Semi's, Specializing in Altera/Xilinx. In-House Counterfeit Detection Lab. In Business 20 Years. Free Shipping on Orders Over $250. Buy American, Buy Direct |
1331 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# 1858951RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET,P CH,DIODE,30V,8-SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Si4435DDY Series 30 V 0.024 Ohm Surface Mount P-Channel Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
15000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDYT1GE3DKRND |
Vishay Siliconix |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
119 |
SI4435DDYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
585306 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
In Stock |
173 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# C10491 |
Vishay Intertechnologies | 4440 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# 781-SI4435DDY-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 RoHS: Compliant
|
14493 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# XSKDRABV0026482 |
Vishay Intertechnologies | 45740 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# 23T8506 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET Transistor, P Channel, -8.1 A, -30 V, 19.5 mohm, -10 V, -3 V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
2460 |
SI4435DDY-T1-GE3. D# 26AC3331 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET,-30V,-8.1A, SOIC-8, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:8.1A, On Resistance Rds(on):0.0195ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: No RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# NS-SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
27528 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
8100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
79 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# 7103339P |
Vishay Intertechnologies |
P-Channel MOSFET, 8.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4435DDY-T1-GE3, RL Min Qty: 10
Container: Reel
|
1200 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDYT1GE3DKRND |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
116 |
SI4435DDYT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
107076 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 pbFree: Pb-Free
|
0 |
SI4435DDY-T1-GE3. |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
9862 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# 53482769 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC |
285259 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4435DDY-T1-GE3 D# 1858951RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET,P CH,DIODE,30V,8-SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
|
0 |
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