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| Numero di parte | SI4477DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 433.620 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26.6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 6.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
|
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 D# 70459540 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC RoHS: Not Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 D# E02:0323_00529673 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 D# 35R6238 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin SOIC N T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 35R6238) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 D# SI4477DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4477DY-T1-GE3) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 1675 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET,P CH,20V,26.6A,8-SOIC |
144 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
P-Channel -20V 26.6A 1.5V @ 250uA 6.2mohms @ 18A,4.5V 3W SOIC-8_150mil MOSFET RoHS |
2304 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 D# SI4477DY-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO |
1118 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 D# 1852575 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET,P CH,20V,26.6A,8-SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
2716 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
29750 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 D# C87947 |
Vishay Intertechnologies | 2304 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 D# 781-SI4477DY-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8 RoHS: Compliant
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1507 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 D# 35R6238 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -20V, 26.6A, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:26.6A, On Resistance Rds(on):0.0051ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
2000 |
SI4477DY-T1-GE3. D# 30AC0164 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -20V, 26.6A, FULL REEL, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:26.6A, On Resistance Rds(on):0.0051ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:1.5V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 D# NS-SI4477DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
4528 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
3744 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8 pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
9846 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 D# 53452698 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC |
22301 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4477DY-T1-GE3 D# 1852575 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET,P CH,20V,26.6A,8-SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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2278 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
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86-755-83210559-817
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