Name: SI4890DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4890DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (143 reviews)

SI4890DY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4890DY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Scheda dati	SI4890DY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4890DY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3 Packaging

SI4890DY-T1-GE3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4890DY-T1-GE3)

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Vishay Siliconix

N CHANNEL MOSFET, 30V, 11A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:11A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):20mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:10V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

1145

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D# SI4890DY-T1-GE3-ND

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MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

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