Name: SI4900DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4900DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (161 reviews)

SI4900DY-T1-GE3

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	SI4900DY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Scheda dati	SI4900DY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4900DY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	665pF @ 15V
Potenza - Max	3.1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3 Packaging

SI4900DY-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI4900DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

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SI4900DY-T1-GE3

D# V72:2272_09216636

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4900DY-T1-GE3

D# SI4900DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: SI4900DY-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4900DY-T1-GE3

D# SI4900DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI4900DY-T1-GE3)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4900DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

- Tape and Reel

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4900DYT1GE3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4900DY-T1-GE3

D# SI4900DY-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4900DY-T1-GE3

D# 1858965

Vishay Intertechnologies

MOSFET,NN CH,DIODE,60V,5.3A,8-SOIC

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

Numero di parte

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SI4900DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Numero di parte

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SI4900DYT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2975

Numero di parte

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SI4900DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

in stock - can ship the same day

2460

Numero di parte

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Descrizione

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SI4900DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

76325

Numero di parte

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Descrizione

Azione

SI4900DY-T1-GE3

D# 781-SI4900DY-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V

RoHS: Compliant

499

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4900DY-T1-GE3

D# NS-SI4900DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

5974

Numero di parte

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Descrizione

Azione

SI4900DY-T1-GE3

D# 7103364

Vishay Intertechnologies

Dual N-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4900DY-T1-GE3, PK

Min Qty: 10

Container: Package

1980

Numero di parte

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Descrizione

Azione

SI4900DYT1GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

4976

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Descrizione

Azione

SI4900DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

76310

Numero di parte

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SI4900DY-T1-GE3

D# 1858965RL

Vishay Intertechnologies

MOSFET,NN CH,DIODE,60V,5.3A,8-SOIC

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Reel

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