Name: SI4910DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4910DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (180 reviews)

SI4910DY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4910DY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
Scheda dati	SI4910DY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4910DY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	855pF @ 20V
Potenza - Max	3.1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3 Packaging

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4910DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

12500

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4910DY-T1-GE3

D# SI4910DY-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4910DY-T1-GE3

D# 1858969

Vishay Intertechnologies

MOSFET,NN CH,DIODE,40V,6A,8-SOIC

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4910DY-T1-GE3

D# NS-SI4910DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

15092

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4910DY-T1-GE3

Vishay Huntington

MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

1000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4910DY-T1-GE3

D# 1858969RL

Vishay Intertechnologies

MOSFET,NN CH,DIODE,40V,6A,8-SOIC

RoHS: Compliant

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