* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | SI4936CDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
|
| A magazzino | 645.084 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
| Tempo di consegna stimato | mag 16 - mag 21 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 15V |
| Potenza - Max | 2.3W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
|
ASTMUPCE-33-10.000MHZ-EJ-E-T3 | Abracon LLC, OSC MEMS 10MHZ LVCMOS SMD, 4-SMD, No Lead, TrenchFET? | Visualizza |
|
UHV1V152MHD6TN | Nichicon, CAP ALUM 1500UF 20% 35V RADIAL, Radial, Can, TrenchFET? | Visualizza |
|
XHP50A-00-0000-0D0HG227H | Cree Inc., LED XLAMP XH-P50 WHITE SMD, 2020 (5050 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
7010.3510 | Schurter Inc., FUSE GLASS 6.3A 125VAC 5X20MM, 5mm x 20mm, TrenchFET? | Visualizza |
|
T37152-05-0 | Curtis Industries, CONN BARRIER STRIP 5CIRC 0.375", -, TrenchFET? | Visualizza |
|
68691-234HLF | Amphenol FCI, HEADER BERGSTIK, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
0751020112 | Molex, LLC, CONN HDR DUAL 70POS .100 SRT TIN, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
VG95234B1-22-2S1X | ITT Cannon, LLC, CONN RCPT 3POS BOX MNT W/SKTS, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
JMXFH1G02FCUDSG | Souriau, CONN PLUG FMALE 2POS GOLD CRIMP, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
CA02COM-E14S-7S-B | ITT Cannon, LLC, CIRCULAR, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
AIB2-20-16PS | Amphenol Industrial Operations, GT 9C 2#12 7#16 PIN RECP BOX, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
VI-2N1-CV-F1 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 12V 150W, Full Brick, TrenchFET? | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 D# 70459551 |
Vishay Siliconix |
SI4936CDY-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 5 A, 30 V, 8-Pin SOIC RoHS: Not Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 D# E02:0323_00530055 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 D# SI4936CDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI4936CDY-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 D# SI4936CDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI4936CDY-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 2080 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Dual N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
DualN-Channel -30V 5.8A 3V @ 250uA 40mohms @ 5A,10V 2.3W SOIC-8_150mil MOSFET RoHS |
2301 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 D# SI4936CDY-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
3957 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 D# 1779274 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, NN-CH, 30V, 5.8A, SO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
3382 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
15000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
14875 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 D# C145000 |
Vishay Intertechnologies | 2301 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
in stock - can ship the same day |
2237 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 D# 781-SI4936CDY-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 RoHS: Compliant
|
3775 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 D# XSFP00000077633 |
Vishay Siliconix |
Dual N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 |
20000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3. D# 28AC2151 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:5.8A, On Resistance Rds(on):0.033ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Product Range:-RoHS Compliant: No RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
|
0 |
SI4936CDY-T1-GE3 D# 55R1929 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, NN CHANNEL, 30V, 5.8A, SO8, Transistor Polarity:Dual N Channel, Continuous Drain Current Id:5.8A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):33mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
3108 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 D# NS-SI4936CDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3986 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 1664 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
8829 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 D# 53414888 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
96047 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936CDY-T1-GE3 D# 1779274RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, NN-CH, 30V, 5.8A, SO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
|
0 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa SI4936CDY-T1-GE3?
+86-755-83210559 ext. 807
Scansiona per visualizzare questa pagina
