Name: SI4967DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4967DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (113 reviews)

SI4967DY-T1-E3

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Numero di parte	SI4967DY-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
Scheda dati	SI4967DY-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4967DY-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	2W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4967DY-T1-E3

SI4967DY-T1-E3 Packaging

SI4967DY-T1-E3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI4967DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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Vishay Intertechnologies

Dual P-Channel 12 V 0.023 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

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SI4967DYT1E3

Vishay Intertechnologies

Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 12V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

Numero di parte

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SI4967DY-T1-E3

D# SI4967DY-T1-E3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

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VBsemi Electronics Co Ltd

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