Name: SI4972DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4972DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (177 reviews)

SI4972DY-T1-E3

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Numero di parte	SI4972DY-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Scheda dati	SI4972DY-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4972DY-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10.8A, 7.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 15V
Potenza - Max	3.1W, 2.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4972DY-T1-E3

SI4972DY-T1-E3 Packaging

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Vishay Semiconductors

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D# SI4972DY-T1-E3TR-ND

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MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC

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