Name: SI4973DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4973DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (176 reviews)

SI4973DY-T1-E3

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Numero di parte	SI4973DY-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Scheda dati	SI4973DY-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4973DY-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1.1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4973DY-T1-E3

SI4973DY-T1-E3 Packaging

SI4973DY-T1-E3 FAQ

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D# 70026240

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DUAL P-CHANNEL 25-V (G-S) MOSFET

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Vishay Intertechnologies

Dual P-Channel 30 V 0.023 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

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SI4973DY-T1-E3

D# SI4973DY-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC

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SI4973DYT1E3

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