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| Numero di parte | SI5441DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SMD, Flat Lead |
| ECAD |
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| A magazzino | 2.128 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SMD, Flat Lead |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET? |
| Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
 
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441DC-T1-GE3 D# SI5441DC-T1-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441DC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441DC-T1-GE3 D# NS-SI5441DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7472 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441DC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
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86-755-83210559-841
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