Name: SI5475BDC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5475BDC-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (141 reviews)

SI5475BDC-T1-GE3

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Numero di parte	SI5475BDC-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
Scheda dati	SI5475BDC-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5475BDC-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 6V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 5.6A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	1206-8 ChipFET?
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead

Scheda tecnica SI5475BDC-T1-GE3

SI5475BDC-T1-GE3 Packaging

SI5475BDC-T1-GE3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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D# SI5475BDC-T1-GE3-ND

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