Name: SI5499DC-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5499DC-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (177 reviews)

SI5499DC-T1-E3

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Numero di parte	SI5499DC-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
Scheda dati	SI5499DC-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5499DC-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1290pF @ 4V
Vgs (massimo)	±5V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	1206-8 ChipFET?
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead

Scheda tecnica SI5499DC-T1-E3

SI5499DC-T1-E3 Packaging

SI5499DC-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI5499DC-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

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SI5499DCT1E3

Vishay Siliconix

Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 8V, 0.036ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

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SI5499DC-T1-E3

D# SI5499DC-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET

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SI5499DCT1E3

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