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| Numero di parte | SI7129DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| A magazzino | 61.956 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3345pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? 1212-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? 1212-8 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 D# 70459559 |
Vishay Siliconix |
SI7129DN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 11.5 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212 RoHS: Not Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 D# V72:2272_09215619 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 D# SI7129DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7129DN-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 D# SI7129DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SI7129DN-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 D# SI7129DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SI7129DN-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 80 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
SILICONIX |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 D# SI7129DN-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8 |
3572 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
11179 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 D# 2889722 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P-CH, -30V, -35A, POWERPAK 1212 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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5063 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
35700 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
3190 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 D# 781-SI7129DN-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 RoHS: Compliant
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3214 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 D# XSKDRABV0056008 |
Vishay Intertechnologies | 3000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3. D# 23AC9605 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:35A, On Resistance Rds(on):0.0095ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.8V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
|
3000 |
SI7129DN-T1-GE3 D# 61AC1937 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P-CH, -30V, -35A, POWERPAK 1212, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-35A, Drain Source Voltage Vds:-30V, On Resistance Rds(on):0.0095ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-2.8V, RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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4822 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 D# NS-SI7129DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
2346 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 64 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 D# 8181384 |
Vishay Intertechnologies |
P-Channel MOSFET, 11.5 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212 Vishay SI7129DN-T1-GE3, PK Min Qty: 20
Container: Package
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2520 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
7127 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
3205 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
9 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 D# 42384611 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 |
mfr |
RFQ |
2660 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 |
44901 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7129DN-T1-GE3 D# 2889722 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P-CH, -30V, -35A, POWERPAK 1212 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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4822 |
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86-755-83210559-819
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