Name: SI7888DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7888DP-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (177 reviews)

SI7888DP-T1-GE3

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Numero di parte	SI7888DP-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Scheda dati	SI7888DP-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	PowerPAK? SO-8
ECAD
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Specifiche SI7888DP-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	PowerPAK? SO-8
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 12.4A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK? SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK? SO-8

Scheda tecnica SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3 Packaging

SI7888DP-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI7888DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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VBsemi Electronics Co Ltd

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