| Numero di parte | SI8410DB-T2-E1 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 4-UFBGA |
| ECAD |
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| A magazzino | 28.464 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 4-UFBGA |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-Micro Foot (1x1) |
| Pacchetto / caso | 4-UFBGA |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI8410DB-T2-E1 D# V36:1790_09216607 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 4-Pin Micro Foot T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI8410DB-T2-E1 D# 44Y1684 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 4-Pin Micro Foot T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 44Y1684) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI8410DB-T2-E1 D# SI8410DB-T2-E1 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 4-Pin Micro Foot T/R (Alt: SI8410DB-T2-E1) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI8410DB-T2-E1 D# SI8410DB-T2-E1 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 4-Pin Micro Foot T/R (Alt: SI8410DB-T2-E1) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI8410DB-T2-E1 |
Vishay Intertechnologies | 3000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI8410DB-T2-E1 D# SI8410DB-T2-E1CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT |
4780 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI8410DB-T2-E1 D# 2483412 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 20V, 5.7A, TRENCHFET-4 RoHS: Compliant
Min Qty: 6000
Container: Cut Tape
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5 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI8410DB-T2-E1 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI8410DBT2E1 |
Vishay Semiconductors |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
7140 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI8410DB-T2-E1 D# 78-SI8410DB-T2-E1 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1 RoHS: Compliant
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1054 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI8410DB-T2-E1 D# 44Y1684 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 20V, 5.7A, TRENCHFET-4, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:5.7A, On Resistance Rds(on):0.03ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 6000
Container: Cut Tape
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5 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI8410DBT2E1 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
9045 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI8410DB-T2-E1 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1 pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI8410DB-T2-E1 D# 2483412 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 20V, 5.7A, TRENCHFET-4 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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5 |
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86-755-83210559-843
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