Name: SI8469DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8469DB-T2-E1
Availability: InStock
Rating: 5 (121 reviews)

SI8469DB-T2-E1

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Numero di parte	SI8469DB-T2-E1
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
Scheda dati	SI8469DB-T2-E1 Scheda dati
pacchetto	4-UFBGA
ECAD
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Specifiche SI8469DB-T2-E1

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	4-UFBGA
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 4V
Vgs (massimo)	±5V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	64 mOhm @ 1.5A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	4-Microfoot
Pacchetto / caso	4-UFBGA

Scheda tecnica SI8469DB-T2-E1

SI8469DB-T2-E1 Packaging

SI8469DB-T2-E1 FAQ

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3. Are the SI8469DB-T2-E1 price and inventory displayed accurate?

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6. What is the process for return or replacement of SI8469DB-T2-E1?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI8469DB-T2-E1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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Small Signal Field-Effect Transistor, 8V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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D# SI8469DB-T2-E1TR-ND

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