Name: SIA914DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA914DJ-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (124 reviews)

SIA914DJ-T1-GE3

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Numero di parte	SIA914DJ-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Scheda dati	SIA914DJ-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	PowerPAK? SC-70-6 Dual
ECAD
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Specifiche SIA914DJ-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	PowerPAK? SC-70-6 Dual
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	53 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.5nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 10V
Potenza - Max	6.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK? SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK? SC-70-6 Dual

Scheda tecnica SIA914DJ-T1-GE3

SIA914DJ-T1-GE3 Packaging

SIA914DJ-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SIA914DJ-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SIA914DJ-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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5. How is the shipping arranged?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SIA914DJ-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SIA914DJ-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SC-70, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:4.5A, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):77mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:8V, Threshold Voltage Vgs:1V, No. of Pins:6 , RoHS Compliant: Yes

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