Name: SIA950DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA950DJ-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (164 reviews)

SIA950DJ-T1-GE3

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Numero di parte	SIA950DJ-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
Scheda dati	SIA950DJ-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	PowerPAK? SC-70-6 Dual
ECAD
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Specifiche SIA950DJ-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	PowerPAK? SC-70-6 Dual
ECAD
Serie	LITTLE FOOT?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	190V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	950mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	90pF @ 100V
Potenza - Max	7W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK? SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK? SC-70-6 Dual

Scheda tecnica SIA950DJ-T1-GE3

SIA950DJ-T1-GE3 Packaging

SIA950DJ-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SIA950DJ-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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