* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | SIB417EDK-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? SC-75-6L |
| ECAD |
|
| A magazzino | 4.736 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | mag 24 - mag 29 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? SC-75-6L |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 565pF @ 4V |
| Vgs (massimo) | ±5V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? SC-75-6L Single |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? SC-75-6L |
|
589R300X2CAT | CTS-Frequency Controls, OSC HCMOS VCTCXO 30MHZ SMD, 4-SMD, No Lead, TrenchFET? | Visualizza |
|
SIT1602BI-21-18N-32.768000D | SiTIME, -40 TO 85C, 3225, 20PPM, 1.8V, 3, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
C1210X274F8JAC7800 | KEMET, CAP CER 0.27UF 10V U2J 1210, 1210 (3225 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
 
|
AO3434 | Alpha & Omega Semiconductor Inc., MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT23, TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
32-2513 | Visual Communications Company - VCC, PMI ROUND .5" NEON 125V WIRE AMB, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
RNC55K1782FPRE6 | Vishay Dale, RES 17.8K OHM 1/8W 1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | Visualizza |
|
RN55C7153BRSL | Vishay Dale, RES 715K OHM 1/8W .1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
RC5025F2R43CS | Samsung, RESISTOR 2010 2.43OHM 0.67W, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
GTC02E-32-4S | Amphenol Industrial Operations, CONN RCPT 14POS BOX MNT W/SCKT, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
8D015W05BC | Souriau, 8D 5C 5#16 SKT RECP, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
PC06CE-8-2S(SR)LC | Amphenol Industrial Operations, CONN PLUG HSG FMALE 2POS INLINE, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
0459848162 | Molex, LLC, CONN RCPT R/A 8PWR 32SGL 2.36MM, -, TrenchFET? | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 D# V72:2272_09216867 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 8V 9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 D# SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R - Tape and Reel (Alt: SIB417EDK-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 2000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
P-CHANNEL 1.2-V (G-S) MOSFET - Tape and Reel |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 D# SIB417EDK-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDKT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
10710 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
In stock |
2000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
1789 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 D# NS-SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3081 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 D# SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Semiconductor |
9000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDKT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
13005 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
1804 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
296 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa SIB417EDK-T1-GE3?
+86-755-83210559 ext. 803
Scansiona per visualizzare questa pagina
