| Numero di parte | SIE860DF-T1-E3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 10-PolarPAK? (M) |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.600 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 10-PolarPAK? (M) |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 21.7A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 10-PolarPAK? (M) |
| Pacchetto / caso | 10-PolarPAK? (M) |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIE860DF-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIE860DF-T1-E3 D# SIE860DF-T1-E3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIE860DF-T1-E3 D# NS-SIE860DF-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1488 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIE860DF-T1-E3 |
Maxim Integrated Products |
shipping today |
2392 |
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