Name: SIHB12N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB12N60E-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (195 reviews)

SIHB12N60E-GE3

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Numero di parte	SIHB12N60E-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Scheda dati	SIHB12N60E-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche SIHB12N60E-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	937pF @ 100V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3 Packaging

SIHB12N60E-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SIHB12N60E-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SIHB12N60E-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SIHB12N60E-GE3

D# E02:0323_06007135

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

RoHS: Compliant

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SIHB12N60E-GE3

D# 68W7031

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 68W7031)

RoHS: Compliant

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SIHB12N60E-GE3

D# SIHB12N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: SIHB12N60E-GE3)

RoHS: Compliant

Numero di parte

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SIHB12N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-263

Numero di parte

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SIHB12N60EGE3

Vishay Intertechnologies

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

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SIHB12N60E-GE3

D# SIHB12N60E-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

112

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VBsemi Electronics Co Ltd

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5260

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SIHB12N60E-GE3

D# 2364071

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-263

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

205

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SIHB12N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

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SIHB12N60EGE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3330

Numero di parte

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Descrizione

Azione

SIHB12N60E-GE3

D# 78-SIHB12N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

RoHS: Compliant

1052

Numero di parte

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Descrizione

Azione

SIHB12N60E-GE3

D# 68W7031

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-263-3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:600V, Continuous Drain Current Id:12A, On Resistance Rds(on):0.32ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1000

Container: Cut Tape

117

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Descrizione

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SIHB12N60E-GE3

D# NS-SIHB12N60E-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

4362

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SIHB12N60E-GE3

D# 7689300

Vishay Intertechnologies

N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB12N60E-GE3, EA

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638

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SIHB12N60EGE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

3714

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SIHB12N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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VISHY

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SIHB12N60E-GE3

D# 10650183

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

RoHS: Compliant

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SIHB12N60E-GE3

Vishay Huntington

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

4857

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SIHB12N60E-GE3

D# 2364071

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-263

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

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