| Numero di parte | SIHB24N65E-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 20.196 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2740pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 12A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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SIT9120AC-1D1-33E133.000000Y | SiTIME, -20 TO 70C, 7050, 20PPM, 3.3V, 1, 6-SMD, No Lead, - | Visualizza |
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SIT1602BI-22-XXE-19.200000D | SiTIME, -40 TO 85C, 3225, 25PPM, 2.25V-3, -, - | Visualizza |
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416F38011CTR | CTS-Frequency Controls, CRYSTAL 38.000 MHZ 6PF SMT, 4-SMD, No Lead, - | Visualizza |
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CKR22BX104KM-LL | AVX Corporation, CAP CER 0.1UF 50V BX 2-DIP, 2-DIP, - | Visualizza |
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1825Y6300473KXT | Knowles Syfer, CAP CER 1825, 1825 (4564 Metric), - | Visualizza |
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C316C432G5G5TA7301 | KEMET, CAP CER 4300PF 50V C0G RADIAL, Radial, - | Visualizza |
 
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EMK325BJ106MN-T | Taiyo Yuden, CAP CER 10UF 16V X5R 1210, 1210 (3225 Metric), - | Visualizza |
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CMF551R5000GKBF | Vishay Dale, RES 1.5 OHM 1/2W 2% AXIAL, Axial, - | Visualizza |
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BBS-113-G-C | Samtec Inc., INTERCONNECT STRIPS, -, - | Visualizza |
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DW-44-09-F-S-400 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, - | Visualizza |
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DBC54H-8-33PN [V003] | TE Connectivity Deutsch Connectors, HERM RECP, -, - | Visualizza |
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VI-B7H-MY-S | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 52V 50W, Full Brick, - | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65E-GE3 D# V36:1790_09219020 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65E-GE3 D# 68W7035 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 68W7035) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65E-GE3 D# SIHB24N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: SIHB24N65E-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65E-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, D2PAK |
837 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65E-GE3 D# SIHB24N65E-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK |
990 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65E-GE3 D# 2283632 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, D2PAK RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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944 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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1000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65EGE3 |
VISHAY SILICONIX |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1178 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65E-GE3 D# 78-SIHB24N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) RoHS: Compliant
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2713 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65E-GE3 D# XSFP00000206316 |
Vishay Siliconix |
E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK |
800 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65E-GE3 D# 68W7035 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 24A, TO-263-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:24A, Drain Source Voltage Vds:650V, On Resistance Rds(on):0.12ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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40 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65E-GE3 D# NS-SIHB24N65E-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6484 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
279 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB24N65E-GE3 D# 50591849 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
0 |
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+86-755-83210559 ext. 815
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