Name: SIHG22N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG22N65E-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (101 reviews)

SIHG22N65E-GE3

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Numero di parte	SIHG22N65E-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC
Scheda dati	SIHG22N65E-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
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Specifiche SIHG22N65E-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2415pF @ 100V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AC
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica SIHG22N65E-GE3

SIHG22N65E-GE3 Packaging

SIHG22N65E-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SIHG22N65E-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SIHG22N65E-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin TO-247AC T/R - Bulk (Alt: SIHG22N65E-GE3)

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin TO-247AC T/R (Alt: SIHG22N65E-GE3)

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MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC

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MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC

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595

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OEM/CM ONLY

566

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