Name: SIHG23N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG23N60E-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (150 reviews)

SIHG23N60E-GE3

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Numero di parte	SIHG23N60E-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Scheda dati	SIHG23N60E-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	9.096 piece(s)
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Specifiche SIHG23N60E-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	E
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2418pF @ 100V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	158 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AC
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica SIHG23N60E-GE3

SIHG23N60E-GE3 Packaging

SIHG23N60E-GE3 FAQ

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3. Are the SIHG23N60E-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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D# SIHG23N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin TO-247AC - Bulk (Alt: SIHG23N60E-GE3)

Numero di parte

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SIHG23N60E-GE3

D# SIHG23N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin TO-247AC (Alt: SIHG23N60E-GE3)

RoHS: Compliant

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SIHG23N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

N-Channel 600V 23A(Tc) 4V @ 250uA 158mohms @ 12A,10V 227W(Tc) TO-247(AC) MOSFET RoHS

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SIHG23N60E-GE3

D# SIHG23N60E-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC

263

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Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

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SIHG23N60EGE3

VISHAY SILICONIX

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

325

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SIHG23N60E-GE3

D# 78-SIHG23N60E-GE3

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SIHG23N60EGE3

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