| Numero di parte | SIHG24N65E-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-247-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.060 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-247-3 |
| ECAD |
|
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2740pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 12A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65E-GE3 D# V36:1790_09219135 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65E-GE3 D# SIHG24N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Tape and Reel (Alt: SIHG24N65E-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65E-GE3 D# SIHG24N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC (Alt: SIHG24N65E-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65E-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-247 |
460 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65E-GE3 D# SIHG24N65E-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
494 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65E-GE3 D# 2364081 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-247 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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1178 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1404 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65E-GE3 D# 78-SIHG24N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC RoHS: Compliant
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488 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65E-GE3 D# 19X1939 |
Vishay Intertechnologies |
Power MOSFET, N Channel, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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1178 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
1204 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65E-GE3 |
VISHY |
shipping today |
9996 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHG24N65E-GE3 D# 2364081 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-247 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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1178 |
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