* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | SIR802DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
|
| A magazzino | 36.192 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
| Tempo di consegna stimato | apr 30 - mag 5 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1785pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 4.6W (Ta), 27.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? SO-8 |
|
0505Y3004P00HQT | Knowles Syfer, CAP CER HIGH Q 0505, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
RNU0J821MDN1PX | Nichicon, CAP ALUM POLY 820UF 20% 6.3V T/H, Radial, Can, TrenchFET? | Visualizza |
|
R5F364A6DFA#U0 | Renesas Electronics America, IC MCU 16BIT 128KB FLASH 100QFP, 100-BQFP, TrenchFET? | Visualizza |
 
|
SG75 | Littelfuse Inc., GDT 75V 2KA SURFACE MOUNT, 1812 (4532 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
|
SPJ-4K250 | Eaton, FUSE 250A 1KV RADIAL BEND, Radial Bend Cylinder, TrenchFET? | Visualizza |
|
RG2012P-2491-W-T5 | Susumu, RES SMD 2.49KOHM 0.05% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
RMCF1210FT2M87 | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 2.87M OHM 1% 1/3W 1210, 1210 (3225 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
102321-4 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN HEADER VERT 20POS .100 GOLD, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
M12A-12BMMA-SL7001 | Amphenol LTW, CONN PLUG MALE 12POS GOLD SOLDER, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
MS3474W16-23SX-LC | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN RCPT HSG FMALE 23POS PNL MT, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
VE-B2N-CW-F3 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 100W, Full Brick, TrenchFET? | Visualizza |
|
MCIMX6Y1DVM05AA | NXP, I.MX 32-BIT MPU ARM CORTEX-A7 C, 289-LFBGA, TrenchFET? | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR802DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, N CH, DIO, 20V, 30A, PPK SO8 |
2802 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR802DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel 20V 30A(Tc) 1.5V @ 250uA 5mohms @ 10A,10V 27.7W(Tc) PowerPAK SO-8 MOSFET RoHS |
2 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR802DP-T1-GE3 D# SIR802DP-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR802DP-T1-GE3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
3807 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR802DP-T1-GE3 D# 2056695 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, DIO, 20V, 30A, PPK SO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR802DPT1GE3 |
VISAHY |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3582 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR802DP-T1-GE3 D# C558278 |
VBsemi Electronics Co Ltd | 435 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR802DP-T1-GE3 D# NS-SIR802DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3079 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR802DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
30A, 20V, 0.005OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET |
100 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR802DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
116 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR802DP-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
3016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR802DP-T1-GE3 D# 2056695 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, DIO, 20V, 30A, PPK SO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
0 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa SIR802DP-T1-GE3?
86-755-83210559-819
Scansiona per visualizzare questa pagina
