* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | SIS436DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
|
| A magazzino | 36.000 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
| Tempo di consegna stimato | mag 7 - mag 12 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 855pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? 1212-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? 1212-8 |
|
SIT9120AC-2D2-25E133.333300T | SiTIME, -20 TO 70C, 7050, 25PPM, 2.5V, 1, 6-SMD, No Lead, TrenchFET? | Visualizza |
|
SIT1602BC-81-33E-26.000000X | SiTIME, -20 TO 70C, 7050, 20PPM, 3.3V, 2, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
0805Y1006P80CFR | Knowles Syfer, CAP CER 6.8PF 100V C0G/NP0 0805, 0805 (2012 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
BD7679G-GTR | Rohm Semiconductor, IC PWM DC/DC CONVERTER 6SSOP, SOT-23-6, TrenchFET? | Visualizza |
|
LRTBGRUG-TTTZ-1+UYVW-29+RTST-49-20-L-ZC | OSRAM Opto Semiconductors Inc., LED DISPLIX BLACK, 6-SMD, Flat Leads, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
RNCF2010DTC110R | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 110 OHM 0.5% 1/3W 2010, 2010 (5025 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
RNCF1206CTE10R0 | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 10 OHM 0.25% 1/4W 1206, 1206 (3216 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
AC0201FR-075K49L | Yageo, RES SMD 5.49K OHM 1% 1/20W 0201, 0201 (0603 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
VLS201612HBX-R24M-1 | TDK Corporation, FIXED IND 240NH 5.65A 29 MOHM, 0806 (2016 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
SQT-128-01-F-Q | Samtec Inc., 2MM SOCKET STRIPS, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
EHT-108-01-S-D-SM-LC-04 | Samtec Inc., 2MM EJECTOR HEADER, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
BM10NB(0.8)-16DS-0.4V(75) | Hirose Electric Co Ltd, CONN RCPT 16POS 0.4MM SMD GOLD, -, TrenchFET? | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS436DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS436DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS436DN-T1-GE3 D# SIS436DN-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS436DN-T1-GE3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
6297 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS436DNT1GE3 |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
10499 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS436DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
145 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS436DN-T1-GE3 D# NS-SIS436DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3013 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS436DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 13.6A I(D), 25V, 0.0105OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
400 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS436DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
8839 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS436DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
140 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS436DN-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
90029 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS436DN-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8 |
3500 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa SIS436DN-T1-GE3?
86-755-83210559-817
Scansiona per visualizzare questa pagina
