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| Numero di parte | SISA24DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| A magazzino | 53.184 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? Gen IV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2650pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | +20V, -16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 15A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? 1212-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? 1212-8 |
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FK0400006 | Diodes Incorporated, OSCILLATOR XO 4.000MHZ CMOS SMD, 4-SMD, No Lead, TrenchFET? Gen IV | Visualizza |
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DS1336SN | Maxim Integrated, IC OR CTRLR SRC SELECT 16SOIC, 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), TrenchFET? Gen IV | Visualizza |
 
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MAX3083EESD+ | Maxim Integrated, IC TXRX RS485/422 10MBPS 14-SOIC, 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), TrenchFET? Gen IV | Visualizza |
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CMF65178R00FKR6 | Vishay Dale, RES 178 OHM 1.5W 1% AXIAL, Axial, TrenchFET? Gen IV | Visualizza |
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RN55D8452FR36 | Vishay Dale, RES 84.5K OHM 1/8W 1% AXIAL, Axial, TrenchFET? Gen IV | Visualizza |
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CPF0201D86R6E1 | TE Connectivity Passive Product, RES SMD 86.6 OHM 0.5% 1/32W 0201, 0201 (0603 Metric), TrenchFET? Gen IV | Visualizza |
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PV36W504C01B00 | Bourns Inc., TRIMMER 500K OHM 0.5W TH, -, TrenchFET? Gen IV | Visualizza |
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PA4341.822NLT | Pulse Electronics Power, FIXED IND 8.2UH 4A 68 MOHM SMD, Nonstandard, TrenchFET? Gen IV | Visualizza |
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ESQ-128-38-L-T | Samtec Inc., ELEVATED SOCKET STRIPS, -, TrenchFET? Gen IV | Visualizza |
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FTR-117-56-L-D | Samtec Inc., SMT .050'' STRIPS, -, TrenchFET? Gen IV | Visualizza |
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FTS-105-04-SM-DV | Samtec Inc., .050 X .050 C.L. LOW PROFILE TER, -, TrenchFET? Gen IV | Visualizza |
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TMA445A-48LQI36AET | Cypress Semiconductor Corp, IC MCU TRUETOUCH, -, TrenchFET? Gen IV | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISA24DN-T1-GE3 D# V36:1790_17600290 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISA24DN-T1-GE3 D# SISA24DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 - Tape and Reel (Alt: SISA24DN-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISA24DN-T1-GE3 D# SISA24DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 (Alt: SISA24DN-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISA24DN-T1-GE3 D# SISA24DN-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8 |
5017 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISA24DN-T1-GE3 D# 2708306 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 25V, 60A, POWERPAK 1212 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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6845 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISA24DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel 25 V 1.4 mOhm 52 W TrenchFET Gen IV Mosfet - PowerPAK 1212-8 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISA24DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
9038 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISA24DN-T1-GE3 D# 78-SISA24DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ. RoHS: Compliant
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4808 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISA24DN-T1-GE3 D# 10AC9116 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 25V, 60A, POWERPAK 1212, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:60A, Drain Source Voltage Vds:25V, On Resistance Rds(on):0.00115ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.1V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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6335 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISA24DNT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
9430 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISA24DN-T1-GE3 D# 40088006 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISA24DN-T1-GE3 D# 2708306 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 25V, 60A, POWERPAK 1212 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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6335 |
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