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| Numero di parte | SPA12N50C3XKSA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 Full Pack |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.760 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | apr 30 - mag 5 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 Full Pack |
| ECAD |
|
| Serie | CoolMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SPA12N50C3XKSA1 D# SPA12N50C3XKSA1-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220-FP |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SPA12N50C3XKSA1 D# 1471772 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N, 500V, TO-220F RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SPA12N50C3XKSA1 D# 1471772 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N, 500V, TO-220F RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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