Name: SPB100N03S2-03 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB100N03S2-03-G
Availability: InStock
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SPB100N03S2-03 G

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Numero di parte	SPB100N03S2-03 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Scheda dati	SPB100N03S2-03 G Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche SPB100N03S2-03 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7020pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica SPB100N03S2-03 G

SPB100N03S2-03 G Packaging

SPB100N03S2-03 G FAQ

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3. Are the SPB100N03S2-03 G price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SPB100N03S2-03 G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte	Produttore	Descrizione	Azione
SPB100N03S2-03 G	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	0
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Numero di parte	Produttore	Descrizione	Azione
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SPB100N03S203T D# SPB100N03S203XTINCT-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3	4530
SPB100N03S2-03 D# SPB100N03S203INTR-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3	0

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