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SSM6J212FE,LF

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Numero di parte SSM6J212FE,LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Scheda dati
pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
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Specifiche SSM6J212FE,LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds970pF @ 10V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs40.7 mOhm @ 3A, 4.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreES6
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666

SSM6J212FE,LF Packaging

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Packing
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SSM6J212FE,LF FAQ

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  • 3. Are the SSM6J212FE,LF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SSM6J212FE,LF?
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