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SSM6J213FE(TE85L,F

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Numero di parte SSM6J213FE(TE85L,F
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Scheda dati
pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
A magazzino 28.668 piece(s)
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Specifiche SSM6J213FE(TE85L,F

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 10V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreES6
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666

SSM6J213FE(TE85L,F Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM6J213FE(TE85L,F is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SSM6J213FE(TE85L,F. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SSM6J213FE(TE85L,F on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SSM6J213FE(TE85L,F products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SSM6J213FE(TE85L,F price and inventory displayed accurate?
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PB-F UDFN6 PCH MOSFET (LF) TRANSISTOR PD: 1W VDS=20V - Tape and Reel (Alt: SSM6J213FE(TE85L,F)

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 0
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 Toshiba America Electronic Components

MOSFET

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Container: Cut Tape
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MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

 90
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MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF

RoHS: Compliant
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OEM/CM ONLY

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MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF

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MOSFET P-CHANNEL MOSFET (LF) TRANSIST

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