* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | SSM6J215FE(TE85L,F |
|---|---|
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SOT-563, SOT-666 |
| ECAD |
|
| A magazzino | 89.154 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | mag 19 - mag 24 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SOT-563, SOT-666 |
| ECAD |
|
| Serie | U-MOSVI |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 3A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
|
SIT3822AC-1D-25NH | SiTIME, OSC PROG LVPECL 2.5V 10PPM SMD, 6-SMD, No Lead, U-MOSVI | Visualizza |
|
|
SIT9120AI-1DF-XXE150.000000Y | SiTIME, -40 TO 85C, 7050, 10PPM, 2.25V-3, 6-SMD, No Lead, U-MOSVI | Visualizza |
|
SIT1602BI-83-25N-19.200000T | SiTIME, -40 TO 85C, 7050, 50PPM, 2.5V, 1, -, U-MOSVI | Visualizza |
|
1808CC273KAT9A | AVX Corporation, CAP CER 0.027UF 630V X7R 1808, 1808 (4520 Metric), U-MOSVI | Visualizza |
 
|
TPS658622AZQZR | Texas Instruments, IC LI-ION BATT/PWR MGMT 120BGA, 120-VFBGA, U-MOSVI | Visualizza |
|
74HCT139N,652 | NXP, IC DECODER/DEMUX DUAL 2-4 16DIP, 16-DIP (0.300", 7.62mm), U-MOSVI | Visualizza |
|
SN74AHCT00N | Texas Instruments, IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DIP, 14-DIP (0.300", 7.62mm), U-MOSVI | Visualizza |
|
768145181AP | CTS Resistor Products, RES NTWRK 24 RES MULT OHM 14SOIC, 14-SOIC (0.220", 5.59mm Width), U-MOSVI | Visualizza |
|
MCS04020C4994FE000 | Vishay Beyschlag, RES SMD 4.99M OHM 1% 1/10W 0402, 0402 (1005 Metric), U-MOSVI | Visualizza |
|
|
D38999/24MD19HD | TE Connectivity Deutsch Connectors, JAM NUT RECEPTACLE, -, U-MOSVI | Visualizza |
|
|
AFD57-18-30PY-6116 | TE Connectivity Deutsch Connectors, AFD57-18-30PY-6116, -, U-MOSVI | Visualizza |
|
|
EEC31DREN | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 62POS 0.100, -, U-MOSVI | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SSM6J215FE(TE85L,F D# V36:1790_13898020 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.4A 6-Pin ES T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SSM6J215FE(TE85L,F D# SSM6J215FE(TE85L,F |
Toshiba America Electronic Components |
PB-F SOT-23F PCH MOSFET (LF) TRANSISTOR PD: 1W VDS=-20V - Tape and Reel (Alt: SSM6J215FE(TE85L,F) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SSM6J215FE(TE85L,F D# C1S751201008958 |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
|
3505 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SSM6J215FE(TE85L,F |
Toshiba America Electronic Components |
RoHS (ship within 1day) - D/C 2019 |
4000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SSM6J215FE(TE85L,F D# SSM6J215FE(TE85LFCT-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 |
6782 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SSM6J215FETE85LF |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
4760 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SSM6J215FE(TE85L,F D# 757-SSM6J215FETE85LF |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF RoHS: Compliant
|
3349 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SSM6J215FE(TE85L,F |
Toshiba America Electronic Components | 3200 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SSM6J215FETE85LF |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
4016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SSM6J215FE(TE85L,F |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF pbFree: Pb-Free
|
0 |
SSM6J215FE(TE85LF |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET P-CHANNEL MOSFET (LF) TRANSIST pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SSM6J215FE(TE85L,F D# 43710987 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.4A 6-Pin ES T/R RoHS: Compliant
|
0 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa SSM6J215FE(TE85L,F?
+86-755-83210559 ext. 809
Scansiona per visualizzare questa pagina
