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SSM6J501NU,LF

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Numero di parte SSM6J501NU,LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
Scheda dati
pacchetto 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino 100.902 piece(s)
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Specifiche SSM6J501NU,LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-WDFN Exposed Pad
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 10V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.3 mOhm @ 4A, 4.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-UDFNB (2x2)
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad

SSM6J501NU,LF Packaging

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Packing
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SSM6J501NU,LF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM6J501NU,LF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SSM6J501NU,LF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SSM6J501NU,LF?
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Trans MOSFET P-CH Si 20V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R

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Trans MOSFET P-CH 20V 10A 6-Pin UDFN (Alt: SSM6J501NU,LF(T)

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P-Channel 20V 10A 1V @ 1mA 15.3mohms @ 4A,4.5V 1W UDFN6B MOSFET RoHS

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MOSFET PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V

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