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SSM6K217FE,LF

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Numero di parte SSM6K217FE,LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Scheda dati
pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
A magazzino 3.200 piece(s)
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Specifiche SSM6K217FE,LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
SerieU-MOSVII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.1nC @ 4.2V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds130pF @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs195 mOhm @ 1A, 8V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreES6
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666

SSM6K217FE,LF Packaging

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Packing
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SSM6K217FE,LF FAQ

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 4000
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MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

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