| Numero di parte | STB12NM60N-1 |
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| Produttore | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.216 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | STMicroelectronics |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| Serie | MDmesh? II |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 410 mOhm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
STB12NM60N-1 |
STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
STB12NM60N-1 D# STB12NM60N-1-ND |
STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
STB12NM60N1 |
STMICROELECTRONICS |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1190 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
STB12NM60N-1 D# NS-STB12NM60N-1 |
STMicroelectronics |
OEM/CM ONLY |
9575 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
STB12NM60N-1 |
STMicroelectronics |
RFQ |
3892 |
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