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STH110N10F7-2

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STH110N10F7-2

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Numero di parte STH110N10F7-2
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
Scheda dati

STH110N10F7-2 Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
ECAD
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Specifiche STH110N10F7-2

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
ECAD
SerieDeepGATE?, STripFET? VII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5117pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5 mOhm @ 55A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreH2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant

Scheda tecnica STH110N10F7-2

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  • 2. How does Heisener guarantee that STH110N10F7-2 is from the original manufacturer or authorized agents?
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2100
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MOSFET N CH 100V 110A H2PAK

 0
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D# C1S730200757276

 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Reel
 1000
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D# 497-13549-1-ND

 STMicroelectronics

MOSFET N CH 100V 110A H2PAK

 156
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RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 24288
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OEM/CM Immediate delivery

 30000
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