Name: STW35N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW35N65M5
Availability: InStock
Rating: 5 (191 reviews)

STW35N65M5

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Numero di parte	STW35N65M5
Produttore	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 27A TO-247
Scheda dati	STW35N65M5 Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW35N65M5

Produttore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	MDmesh? V
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	27A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	83nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3750pF @ 100V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	98 mOhm @ 13.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica STW35N65M5

STW35N65M5 Packaging

STW35N65M5 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

RoHS: Compliant

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