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STY112N65M5

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Numero di parte STY112N65M5
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 93A MAX247
Scheda dati

STY112N65M5 Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STY112N65M5

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieMDmesh? V
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C96A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs350nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds16870pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs22 mOhm @ 47A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreMAX247?
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STY112N65M5

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Packing
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STY112N65M5 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STY112N65M5. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STY112N65M5 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STY112N65M5 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STY112N65M5 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STY112N65M5?
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Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube

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Trans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube - Rail/Tube (Alt: STY112N65M5)

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 0
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Trans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube (Alt: STY112N65M5)

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Trans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube (Alt: STY112N65M5)

 0
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STY112N65M5

 STMicroelectronics

160
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STY112N65M5

 STMicroelectronics

STY112N65M5 Series N-Channel 650 V 22 mOhm MDmesh V Power MosFet - MAX-247

 1192
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

STY112N65M5

 STMicroelectronics

Power Field-Effect Transistor, 93A I(D), 650V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

STY112N65M5

D# 497-11236-5-ND

 STMicroelectronics

MOSFET N-CH 650V 96A MAX247

 17
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STY112N65M5

D# 2098403

 STMicroelectronics

MOSFET, N CH, 650V, 93A MAX247

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 11
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STY112N65M5

 STMicroelectronics

N-Channel 650 V 22 mOhm Through Hole MDmesh V Power MosFet - MAX-247

RoHS: Compliant
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 0
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 7161
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 30000
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MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5

RoHS: Compliant
 460
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D# 47T9454

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MOSFET, N CHANNEL, 650V, 96A, MAX-247, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:650V, Continuous Drain Current Id:96A, On Resistance Rds(on):0.019ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 600
Container: Bulk
 0
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D# NS-STY112N65M5

 STMicroelectronics

OEM/CM ONLY

 10768
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Semiconductor

 210
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N-Channel MOSFET, 96 A, 650 V, 3-Pin Max247 STMicroelectronics STY112N65M5, TU

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N-CH 650V 96A 19mOhm MAX247

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