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STY145N65M5

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Numero di parte STY145N65M5
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
Scheda dati

STY145N65M5 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STY145N65M5

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieMDmesh? V
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C138A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs414nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds18500pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 69A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreMAX247?
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STY145N65M5

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STY145N65M5 FAQ

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  • 3. Are the STY145N65M5 price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube

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MOSFET N-CH 650V 138A MAX247

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TO-247-3 MOSFET RoHS

596
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MOSFET N-CH 650V 138A MAX247

527
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420
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MOSFET, N-CH, 650V, 138A, MAX-247

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Single N-Channel 650 V 625 W 414 nC MDmesh Through Hole Mosfet - MAX-247

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2380
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596
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MOSFET N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5

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MAX247-3/N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 138 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET

930
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MOSFET, N-CH, 650V, 138A, MAX-247, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:650V, Continuous Drain Current Id:138A, On Resistance Rds(on):0.012ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
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138A, 650V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STMicroelectronics STY145N65M5, EA

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Trans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube

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N-channel 650 V, 0.012 Ω typ., 138 A, MDmesh? V Power MOSFET in Max247 package

300
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MOSFET, N-CH, 650V, 138A, MAX-247

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