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SUD19N20-90-T4-E3

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Numero di parte SUD19N20-90-T4-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Scheda dati

SUD19N20-90-T4-E3 Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche SUD19N20-90-T4-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1800pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs90 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252, (D-Pak)
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SUD19N20-90-T4-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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TRANS MOSFET N-CH 200V 19A 3PIN TO-252 - Tape and Reel

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MOSFET N-CH 200V 19A TO252

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