Name: SUP50N10-21P-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP50N10-21P-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (79 reviews)

SUP50N10-21P-GE3

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	SUP50N10-21P-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Scheda dati	SUP50N10-21P-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche SUP50N10-21P-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2055pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica SUP50N10-21P-GE3

SUP50N10-21P-GE3 Packaging

SUP50N10-21P-GE3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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N-CH MOSFET TO-220 100V 21MOHM @ 10V - Bulk

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Vishay Intertechnologies

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

RoHS: Compliant

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SUP50N10-21P-GE3

D# SUP50N10-21P-GE3-ND

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