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TJ80S04M3L(T6L1,NQ

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

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Numero di parte TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
Scheda dati

TJ80S04M3L(T6L1,NQ Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche TJ80S04M3L(T6L1,NQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs158nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7770pF @ 10V
Vgs (massimo)+10V, -20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK+
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica TJ80S04M3L(T6L1,NQ

TJ80S04M3L(T6L1,NQ Packaging

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D# V36:1790_13897078

 Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

 0
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D# TJ80S04M3L(T6L1,NQ

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Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: TJ80S04M3L(T6L1,NQ)

RoHS: Compliant
 0
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D# TJ80S04M3L(T6L1,NQ

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Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: TJ80S04M3L(T6L1,NQ)

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Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: TJ80S04M3L(T6L1,NQ)

RoHS: Compliant
 0
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D# TJ80S04M3L(T6L1NQ-ND

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MOSFET P-CH 40V 80A DPAK

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MOSFET P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052

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MOSFET 40V P-CH NEW PW-MOLD

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