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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

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Numero di parte TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino 4.896 piece(s)
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Specifiche TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds890pF @ 10V
Vgs (massimo)+10V, -20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs104 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK+
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Packing
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) FAQ

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Trans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

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Trans MOSFET P-CH 60V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: TJ8S06M3L(T6L1,NQ))

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Trans MOSFET P-CH 60V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: TJ8S06M3L(T6L1,NQ))

RoHS: Compliant
 0
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MOSFET P-CH 60V 8A DPAK

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 2380
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MOSFET P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104

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P-CH 60V 8A 90mOhm DPAK+

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