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TK10A60W,S4VX

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Numero di parte TK10A60W,S4VX
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack
ECAD
A magazzino 4.192 piece(s)
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Specifiche TK10A60W,S4VX

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs380 mOhm @ 4.9A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack

TK10A60W,S4VX Packaging

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Sealing
Packing
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TK10A60W,S4VX FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK10A60W,S4VX. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK10A60W,S4VX on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK10A60W,S4VX products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

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 203
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N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK10A60W,S4VX(M, PK

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MOSFET 600V N-CH

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MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

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